Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Данилов Л.В.1
  • Михайлова М.П.2
  • Андреев И.А.3
  • Зегря Г.Г.4
  • Шаронова Л.В.
стр. 1196-1201
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук
Аннотация:
Работа посвящена теоретическому исследованию влияния электростатического потенциала, индуцированного носителями заряда одного знака, локализованными в глубокой квантовой яме, на вольт-амперные характеристики фотоприемных гетероструктур. На примере p-i-n-структуры с одиночной глубокой квантовой ямой для электронов, находящейся в j -области, показано, что экранирование внешнего приложенного электрического поля приводит к увеличению дифференциальной фотопроводимости такой гетероструктуры по сравнению с p-i-и-структурой без промежуточного двумерного слоя.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.