Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Матяш И.Е.1
  • Минайлова И.А.2
  • Сердега Б.К.3
  • Хируненко Л.И.4
  • Оганесян Г.А.5
стр. 1155-1159
Платно
1 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 3 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины, 03028 Киев, Украина, 4 Институт физики Национальной академии наук Украины, 5 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН
Аннотация:
В работе комплексом спектроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов Ga In_ P с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). В условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaIn_P на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению оптических свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых уменьшение ширины запрещенной зоны и усиление люминесценции. Впервые на основе данных дисперсионного анализа ИК-спектров отражения, а также данных УФ- спектроскопии, полученных в режиме пропускание-отражение, определены основные оптические характеристики твердых растворов Ga In_P с упорядочением, а именно дисперсия коэффициента преломления, высокочастотная диэлектрическая проницаемость. Все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.