Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Тысченко И.Е.1
  • Черков А.Г.2
  • Володин В.А.3
  • Voelskow M.4
  • Шаронова Л.В.
стр. 1289-1294
Платно
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Новосибирский государственный университет”, Новосибирск, 3 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск., 4 Institute of ion-beam physics and materials research, Helmholz-Center Dresden-Rossendorf
Аннотация:
Изучены закономерности формирования нанокристаллов германия в тонких пленках SiO, имплантированных ионами Ge+ при высокотемпературном отжиге (1130°C), в зависимости от величины гидростатического давления. Установлено, что отжиг при атмосферном давлении сопровождается диффузией атомов германия из области имплантации в подложку Si и не приводит к формированию нанокристаллов Ge. Увеличение давления во время отжига приводит к замедлению диффузии германия в кремний и сопровождается формированием двойниковых ламелей на границе раздела Si/SiO (при давлениях ~ 10 бар) либо зарождением и ростом нанокристаллов Ge (при давлениях ~ 10 бар) в пленке SiO. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения изменения активационного объема образования и миграции точечных дефектов в условиях сжатия.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.