Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In Ga _As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Пономарев Д.С.1
  • Хабибуллин Р.А.2
  • Ячменев А.Э.3
  • Павлов А.Ю.4
  • Слаповский Д.Н.5
  • Глинский И.А.6
  • Лаврухин Д.В.7
  • Рубан О.А.8
  • Мальцев П.П.9
  • Шаронова Л.В.
стр. 1267-1272
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 4 Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской АН Российская Федерация, 117105, г. Москва, Нагорный проезд, 7, стр. 5, 5 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 6 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), 7 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва E-mail: galiev_galib@mail.ru, 8 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 9 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия.
Аннотация:
Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-tempe- rature grown GaAs, LT-GaAs) и InGa_As c повышенным содержанием индия (x > 0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева P за счет влияния темнового тока в In Ga _As в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью In Ga _As при x > 0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In.Gao.As и на 64% для антенны на основе Ino.Gao.As.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.