Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Воздействие протонного облучения с энергией 8МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Лебедев А.А.1
  • Бер Б.Я.2
  • Оганесян Г.А.3
  • Белов С.В.4
  • Лебедев С.П.5
  • Никитина И.П.6
  • Середова Н.В.7
  • Шахов Л.В.8
  • Козловский В.В.9
стр. 1088-1090
Платно
1 Институт астрономии Российской академии наук, Москва, Россия, 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН, 4 ОАО “Зарубежгеология”, г. Москва, 5 Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 8 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 9 Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва
Аннотация:
Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на эпитаксиальные слои n-3C-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4H-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей (V) составила ~ 110см. Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5 • 10см наблюдалась при дозах облучения ~ 6 • 10см. Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4H и 6H карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой ,дефектной“ фотолюминесценции.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.