Статья «Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga In, P на их структурные и морфологические свойства, "Физика и техника полупроводников"»

Комплексом структурных и микроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов Ga In_P с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaIn_P на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению структурных свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых изменение параметра кристаллической решетки и, как следствие, понижение симметрии кристалла, а также образование двух различных типов нанорельефа поверхности. Впервые с учетом упругих напряжений рассчитаны параметры твердых растворов Ga In_P с упорядочением в зависимости от параметра порядка. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями.