Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Моделирование активированного электрическим полем спекания термоэлектриков, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Новотельнова А.В.1
  • Тукмакова А.С.2
  • Освенский В.Б.3
  • Булат Л.П.
  • Ережеп Д.4
стр. 756-758
Платно
1 Университет ИТМО, 2 Университет ИТМО, 3 Государственный научный центр АО „Гиредмет", 4 Университет ИТМО
Аннотация:
С использованием нестационарной компьютерной модели рассмотрен процесс активированного полем спекания составных ветвей термоэлементов. Предложена модификация оснастки. Оснастка асимметричной формы, содержащая изолирующий слой, способствует формированию в образце перепада температур, достигающего нескольких сотен градусов. Проанализировано влияние толщины электроизоляционного слоя на величину осевого и радиального перепадов температур в образцах. Показана возможность понижения радиального температурного градиента.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%