Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в CdGaSe, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Оганесян Г.А.1
  • Джахангирли З. А.2
  • Абдуллаев Н.А.3
  • Мамедов Н.Т.4
  • Керимова Т.Г.5
  • Мамедова И.А.6
стр. 585-587
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН, 2 Азербайджанский технический университет Азербайджан; Институт физики Академия наук Азербайджана, 3 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, 4 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, 5 Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, 6 Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана
Аннотация:
Методом функционала плотности рассчитана плотность фононных состояний и дисперсия фононов в зоне Бриллюэна. Построены смещения атомов в элементарной ячейке для колебаний A, B и E симметрий. Рассчитанные частоты оптических фононов согласуются с экспериментально определенными частотами из спектров ИК поглощения и КРС. В плоскости xy наблюдается пересечение низкочастотных оптических фононов с акустическими фононами.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%