Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Лозовский В.Н.1
  • Ломов А.А.2
  • Лунин Л.С.3
  • Середин Б.М.4
  • Чесноков Ю. М.5
стр. 297-301
Платно
1 Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт РАН, Москва., 3 Южный научный центр Российской академии наук, 4 Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, 5 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт’’
Аннотация:
Приводятся результаты исследований кристаллической структуры областей кремния, перекристаллизованных в процессе термомиграции жидкой кремний-алюминиевой зоной. Подобные области, легированные акцепторной примесью, необходимы для получения высоковольтных фотопреобразователей.С помощью рентгеновских дифракционных методов двухкристальных кривых отражения и топографии, а также просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения установлено, что при проведении термомиграции жидких зон в виде серии тонких полос или прямоугольных сеток формируются монокристаллические области. Выявлены дислокационные полупетли, которые лежат в поверхностных слоях лицевой и тыльной сторон подложки. В перекристаллизованных областях обнаружены {311}-дефекты.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.