Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «The effects of electron irradiation and thermal dependence measurements on 4H-Sic Schottky diode, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Ganiyev Sabuhi1
  • Khairi M. Azim2
  • Fauzi D. Ahmad3
  • Abdullah Yusof4
  • Hasbullah N.F.5
стр. 1721-1724
Платно
1 International Islamic University, 2 International Islamic University, 3 International Islamic University, 4 Industrial Technology Division, Agency Nuclear Malaysia, 5 International Islamic University
Аннотация:
In this paper the effects of high energy (3.0 MeV) electrons irradiation over a dose ranges from 6 to 15MGy at elevated temperatures 298 to 448 K on the current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky diodes were investigated. The experiment results show that after irradiation with 3.0 MeV forward bias current of the tested diodes decreased, while reverse bias current increased. The degradation of ideality factor, n, saturation current, I, and barrier height, $, were not noticeable after the irradiation. However, the series resistance, R, has increased significantly with increasing radiation dose. In addition, temperature dependence current-voltage measurements, were conducted for temperature in the range of 298 to 448 K. The Schottky barrier height, saturation current, and series resistance, are found to be temperature dependent, while ideality factor remained constant.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.