Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Трухин В.Н.1
  • Буравлев А. Д.2
  • Мустафин И.А.3
  • Цырлин Г.Э.4
  • Kakko J.P.5
  • Lipsanen H.6
стр. 1631-1631
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия, 2 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия, 4 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия, 5 Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, 6 Университет ИТМО; Aalto University
Аннотация:
Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронно-дырочной плазмы на генерацию ТГц-излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs, выращенных методами MOVPE. Было показано, что временшя динамика фотовозбужденных носителей заряда в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах определяется транспортом носителей заряда, как электронов, так и дырок, временем захвата электронов и дырок на поверхностные уровни.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.