Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Study and simulation of electron transport in Ga.In.Sb based on Monte Carlo method, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • El Ouchdi A.A 1
  • Bouazza B.2
  • Belhadji Y.3
  • Massoum N.4
стр. 1647-1650
Платно
1 Research Unit of Materials and Renewable Energies, Abou Bakr Belkaid University; Centre de D?veloppement des Technologies Avance es, Algiers, 2 Research Unit of Materials and Renewable Energies, Abou Bakr Belkaid University, 3 Research Unit of Materials and Renewable Energies, Abou Bakr Belkaid University; Electrical and engineering department, Faculty of applied sciences, University of Tiaret, 4 Research Unit of Materials and Renewable Energies, Abou Bakr Belkaid University
Аннотация:
This work addresses the issue related to the electronic transport in the III-V ternary material Gao.5Ino.5Sb using Monte Carlo method. We investigated the electronic motion in the three valleys T, L, and X of the conduction band. These three valleys are isotropic, non-parabolic and centred on the first Brillouin zone. In our study, we included scatterings with ionised impurities, acoustic and polar optical phonons, as well as, intervalley and intravalley interactions. We discussed the electronic transport characteristics at the stationary and the transient regimes in function of temperature and electric field.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.