Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «О пространственной локализации свободных электронов в я-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Иванов П.А.
стр. 1696-1696
Платно
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.012.21
Аннотация:
Теоретически рассматривается вопрос о пространственной локализации свободных электронов в 4H-SiC МОП-транзисторах с обогащенным и инверсным и-каналом. Анализ показал, что в оптимально сконструированных транзисторах с обогащенным каналом среднее расстояние, на котором свободные электроны локализованы от поверхности 4H-SiC, может быть на порядок больше по сравнению с транзисторами с инверсным каналом. Это должно давать транзисторам с обогащенным каналом преимущество по эффективной подвижности электронов в проводящем канале.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.