Статья «Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией, "Физика и техника полупроводников"»

Исследована сегрегация Sb в слоях Si, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si с кристаллографической ориентацией (111), (110), (115), и проведено сравнение полученных результатов для этих ориентаций с результатами для наиболее распространенной ориентации (001). Обнаружено, что качественно ход температурных зависимостей коэффициента сегрегации Sb (r) схож для всех исследованных ориентаций, в частности можно выделить два характерных температурных интервала, соответствующих режиму кинетических ограничений и термодинамически равновесному режиму сегрегации. Однако количественно данные для величины r при исследованных ориентациях заметно отличаются от таковых для (001) при одинаковых температурах. Обнаруженные на зависимостях r от температуры роста участки, где r меняется на 5 порядков в узком интервале температур, позволили адаптировать метод селективного легирования, основанный на контролируемом использовании эффекта сегрегации, предложенный авторами ранее для структур на Si(001), к структурам, выращенным на подложках Si иных ориентаций. С помощью данного метода были изготовлены селективно-легированные структуры Si: Sb/Si(111), в которых изменение концентрации Sb на порядок происходит на масштабах в несколько нанометров.