Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Байдусь Н.В.1
  • Алешкин В.Я.2
  • Дубинов А.А.3
  • Кудрявцев К.Е.4
  • Некоркин С.М.5
  • Новиков А. В.6
  • Павлов Д.А.7
  • Рыков А.В.8
  • Сушков А.А.9
  • Шалеев М. В.10
  • Юнин П. А.11
  • Юрасов Д.В.12
  • Яблонский А.Н.13
  • Красильник З.Ф.14
стр. 1579-1582
Платно
1 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2 Институт физики микроструктур РАН,, 3 Институт физики микроструктур РАН, 4 Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 5 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского,, 6 Институт физики микроструктур РАН; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 7 Московский государственный университет, 8 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, проспект Гагарина, 23, корп. 3, 603950 Нижний Новгород, Россия, 9 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 10 Институт физики микроструктур РАН, 11 Институт физики микроструктур РАН, 12 Институт физики микроструктур Российской академии наук; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 13 Институт физики микроструктур Российской академии наук, 14 Нижегородский государственный университет им. Лобачевского
Аннотация:
Исследован рост лазерных структур InGaAs/GaAs/AlAs методом МОС-гидридной эпитаксии при низком давлении на подложках Si(001) с эпитаксиальным метаморфным буферным слоем Ge разной толщины. Представлены результаты влияния на кристаллическое и оптическое качество формируемых AB структур температуры роста и встраивания на границе с Ge/Si(001) подложкой дополнительных слоев AlAs. Продемонстрировано, что встраивание AlAs/GaAs/AlAs решетки на начальных этапах роста AB гетероструктур на Ge буферных слоях, выращенных на неотклоненных Si(001) подложках, позволяет значительно снизить плотность прорастающих дефектов и, как следствие, формировать эффективно излучающие лазерные структуры. Показана возможность выращивания на Si(001) подложках напряженных квантовых ям InGaAs, демонстрирующих стимулированное излучение в области длин волн больше 1100 нм.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.