Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Низкотемпературное осаждение пленок SiN в индуктивносвязанной плазме SiH/Ar+N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Охапкин А.И.1
  • Королёв С.А.2
  • Юнин П. А.3
  • Дроздов М.Н.4
  • Краев С.А.5
  • Хрыкин О.И.6
  • Шашкин В.И.7
стр. 1503-1506
Платно
1 Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия, 2 Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия, 3 Институт физики микроструктур РАН, 4 Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, 5 Институт физики микроструктур Российской академии наук, 6 Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН), 7 Институт физики микроструктур РАН; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Аннотация:
Получены пленки SiN на кремнии в индуктивно-связанной плазме SiH/Ar + N в условиях сильного разбавления силана аргоном. Изучены зависимости скорости осаждения и свойств нитрида кремния от газового состава плазмы, давления, мощности емкостного и индуктивного разрядов. В ряде случаев характер найденных зависимостей отличается от литературных данных, известных для неразбавленных реагентов. Установлено, что наименьшее содержание примесей в пленках и их наилучшие свойства реализуются при соотношении азота и силана, близком к 1.4. Возрастание мощности емкостного разряда способствует получению более гладких образцов за счет полирующего действия ионов аргона.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.