Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Никифоров В.Е.1
  • Абрамкин Д.С.2
  • Шамирзаев Т.С.3
стр. 1565-1568
Платно
1 Новосибирский государственный университет, 2 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет, 3 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет; Уральский федеральный университет
Аннотация:
Высокая реакционная способность алюминия приводит к тому, что поверхность гетероструктур на основе AlAs необходимо защищать от окисления слоем GaAs. В результате в приповерхностной области таких гетероструктур всегда есть гетеропереход GaAs/AlAs. В работе показано, что при нерезонансном оптическом возбуждении структур с этим гетеропереходом связана полоса фотолюминесценции, интенсивность которой определяется толщиной и типом легирования защитного слоя GaAs.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.