Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ОБЛАСТИ p-n ПЕРЕХОДА ПРИ РАЗЛИЧНЫХ УСЛОВИЯХ ФОТОГЕНЕРАЦИИ, "Физика и химия стекла"»

Авторы:
  • Кузьменко А.В.1
  • Тверьянович Ю. С.2
стр. 474-483
Платно
1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 2 Институт химии Санкт-Петербургского государственного университета
  • SDI: 007.001.0132-6651.2017.043.005.6
Ключевые слова:
  • межфазные границы
  • двойной электрический слой
  • внутренний фотоэффект
Аннотация:
Описана модель, позволяющая рассчитывать распределение неравновесных носителей и электрического поля вблизи p-n перехода, возникших в результате внутреннего фотоэффекта. Проанализированы возможности управления с помощью лазерной засветки свойствами нанослоистых структур, чувствительными к концентрации свободных носителей. Произведена вариация взаимного расположения области интенсивного поглощения излучения и самого p-n перехода, анализируются линейный и квадратичный механизмы рекомбинации носителей.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.