Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ RЕRАМ НА БАЗЕ HIGH-K ДИЭЛЕКТРИКОВ»

Авторы:
  • Макеев В.В.1
стр. 14-18
Платно
1 ОАО Научно-исследовательский институт космического приборостроения (ОАО “НИИ КП”) Российская Федерация, 111250, Москва, ул. Авиамоторная, 53
Ключевые слова:
  • HIGH-K ДИЭЛЕКТРИКИ
  • ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА
  • ПРОЧНОСТЬ СВЯЗЕЙ
  • КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ
  • ДРЕЙФ ИОНОВ КИСЛОРОДА В ОКСИДАХ
  • ТОКОПРОВОДЯЩИЙ ФИЛАМЕНТ
  • ПЕРЕНОС ЗАРЯДА ПО ВАКАНСИЯМ
  • HIGH-K DIELECTRICS
  • ELECTRONIC STRUCTURE
  • BOND STRENGTH
  • OXYGEN VACANCIES
  • OXYGEN ION DRIFT IN OXIDES
  • ONDUCTIVE FILAMENT
  • CHARGE TRANSFER BY VACANCIES
Аннотация:
Приведено сравнение некоторых ожидаемых электрических характеристик элементов резистивной энергонезависимой памяти (RЕRАМ) на базе high-k диэлектриков путём сравнительного анализа электрофизических характеристик диэлектриков. Сделан вывод о том, что наиболее быстродействующими должны быть структуры на основе оксидов тантала и гафния, наихудшие характеристики по скорости переключения должны иметь структуры на базе Al2O3.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.