Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Васильев В.Ю.1
стр. 10-16
Платно
1 НГТУ; ООО «СибИС»
Аннотация:
В пятой части обзора проанализированы модели поверхностного гидроксила на кремнеземе с целью оценки их применимости для качественного объяснения выделенных температурных зависимостей роста и плотности ТПДК при их получении методами АСО.

Предоставляются только метаданные.