Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ МЫШЬЯКА И ФОСФОРА В СИЛЬНОЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

В работе исследованы распределения As в p-n-структурах, формируемых в сильнолегированном кремнии КДБ 0,001 (концентрация 1,3 ? 10 см) диффузией As в эвакуированной ампуле. Использовались методы дифференциальной проводимости и нейтронно-активационный. Выявлено существенное различие распределений, что объясняется наличием части As в диффузионном слое в электрически неактивной форме в виде нейтральных кластеров вакансионного типа VAs. Параллельно исследованиям профилей As исследованы профили распределения в кремнии КДБ 0,001 фосфора, полученные диффузией в газовой фазе с источником в виде треххлористого фосфорa PCl в аналогичном по температуре и времени режиме диффузии. Полученные активационные профили распределения As и Р служат наглядным подтверждением преимуществ выбора донорной примеси As относительно других легирующих примесей для формирования в сильнолегированном кремнии низковольтных р-n-структур с туннельным и смешанным механизмами пробоя (напряжение пробоя U < 6 В), на основе которых изготавливаются низковольтные стабилитроны и ограничители напряжения. Критерии сравнения: соотношение поверхностных концентраций – Ns мышьяка ? 1 ? 10 см, Ns фосфора ? 1,6 ? 10 см, глубины залегания p-n-переходов – xj мышьяка ? 2 мкм, xj фосфора ? 1 мкм соответственно.