Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОБОЙ P-N-ПЕРЕХОДОВ С ДЕФЕКТАМИ СТРУКТУРЫ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Скорняков С.П.1
стр. 5-7
Платно
1 АО «НЗПП с ОКБ»
Аннотация:
Обсуждается влияние структурных дефектов при высококонцентрационной диффузии в сильнолегированный кремний на распределение тока по площади и электрические параметры р-n-переходов с лавинным и туннельным механизмами пробоя. Показано, что абсолютно регулярная экспериментальная зависимость напряжения пробоя от площади р-n-перехода с туннельным пробоем подтверждает основные положения теории туннельного пробоя о независимости процесса туннельного пробоя от наличия в р-n-переходе структурных дефектов.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.