Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ОБРАЗОВАНИЕ И РОСТ ЗАРОДЫШЕЙ ПОР В n-Si ПРИ ЕГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОМ ТРАВЛЕНИИ, "Доклады Академии наук"»

Авторы:
  • Абрамова Е.Н.1
  • Хорт А.М.2
  • Яковенко А.Г.3
  • Прохоров Д.И.4
  • Швец В.И.5
стр. 431-434
Платно
1 Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, 2 Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, 3 Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, 4 Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, 5 Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова (МИТХТ им. М.В. Ломоносова), Москва
Аннотация:
Предложен механизм образования пор в n-Si в местах наибольшей вероятности их зарождения через стадию образования зародышей.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.