Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Структурно-зависимое магнетосопротивление в гибридном нанокомпозите Zn 1CdGeAs + MnAs, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Арсланов Р.К.1
  • Арсланов Т.Р.2
  • Федорченко И.В.3
  • Ланскийх Л. Ки.4
  • Чаттерджи Т.5
стр. 643-649
Платно
1 Институт физики им. Х.И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, 2 Институт физики им. Х.И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, 3 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, 4 Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 5 Institute Laue-Langevin
Аннотация:
В гибридном нанокомпозите на основе матрицы Zno.iCdo.9GeAs2 и MnAs кластеров исследовано влияние высокого давления на электронный транспорт и полевую зависимость поперечного магнетосо-противления. Вблизи индуцированного давлением структурного превращения (P ~ 3.5 ГПа) формируется рекордно большая величина отрицательного магнетосопротивления ~ 74 %. Рассматриваемые механизмы рассеяния учитывают, как вклад, происходящий от MnAs кластеров при сравнительно низких давлениях (до 0.7ГПа), так и спин-зависимое рассеяние на локализованных магнитных моментах, в замещенной Mn структуре матрицы в области структурного перехода. Наличие положительного участка магнетосопротивления, связанного с двухзонной моделью транспорта в фазе высокого давления, а также большое отрицательное магнетосопротивление описываются в рамках полуэмпирического выражения Хосла-Фишера.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.