Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «КАПЕЛЬНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОКРЫТИЙ ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА, "Известия Российской академии наук. Серия физическая"»

Авторы:
  • Аракелян С. М.1
  • ОСИПОВ А.В.
  • Скрябин И. О.2
  • Tran Dinh Phong3
  • Nguyen Tran Thuath4
стр. 1604-1608
Платно
1 Владимирский государственный университет им. Столетовых, 2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Владимирский государственный университет имени А.Г. и Н.Г. Столетовых, 3 Vietnam National University, 4 Vietnam National University
Аннотация:
Для полученных кластерных структур, состоящих из наночастиц теллурида свинца, измерены вольт-амперные характеристики осажденных структур, показано изменение величины туннельного тока. Выявлены оптимальные условия для возможного проявления квантовой/скачковой проводимости из-за эффектов туннелирования носителей заряда - характерные размеры нанокластеров и расстояний между ними.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%