Статья «РОСТ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СЛОЕВ ALN (ALGAN) НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА МЕТОДОМ АММИАЧНОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Исследован рост эпитаксиальных высокотемпературных слоев AlN и AlGaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира (0001). Выявлены факторы, влияющие на формирование доменов инвертированной полярности в высокотемпературных пленках AlN на сапфире. Установлено, что плотность инвертированных доменов коррелирует с плотностью покрытия подложки зародышевыми островками на начальных этапах роста, причем плотное покрытие подавляет формирование доменов. Показано, что увеличить плотность покрытия поверхности на стадии зародышевого роста можно, увеличив степень нитридизации подложки, снизив температуру осаждения, а также используя большие потоки аммиака при осаждении начальных слоев. Для объяснения обнаруженных закономерностей представлена кинетическая модель, описывающая формирование зародышей AlN в приближении самосогласованного поля с учетом особенностей формирования и структуры AlN. На основе выявленных закономерностей роста разработан подход получения слоев AlN на подложках сапфира с улучшенной структурой и морфологией. Получены эпитаксиальные слои AlN толщиной 300 нм со среднеквадратичной шероховатостью поверхности 2 ?.?Ширина дифракционных кривых качания на полувысоте для рефлекса 0002 составила 120 угл.с. Плотность инвертированных доменов удалось снизить до значений менее 105 см-2. Улучшение морфологии и структуры пленок было достигнуто в результате разбиения процесса роста на две стадии и использования галлия в качестве поверхностно-активного вещества.