Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СПОСОБ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛА SI (111), "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Рысбаев А. С.1
  • Хужаниёзов Ж. Б.2
  • Бекпулатов И. Р.3
  • Рахимов А. М.4
стр. 106-112
Платно
1 Ташкентский государственный технический университет, 2 Ташкентский государственный технический университет, 3 Ташкентский государственный технический университет, 4 Ташкентский государственный технический университет
Ключевые слова:
  • monocrystals
  • surface
  • ultrahigh vacuum
  • implantation of ions Ва+
  • atomically clean surfaces of silicon
  • nanosize
  • монокристалл
  • поверхность
  • сверхвысокий вакуум
  • имплантация
  • наноразмер
  • атомарно-чистая поверхность
Аннотация:
Авторами разработан способ дополнительной очистки поверхности монокристаллов полупроводников, который заключается в предварительной очистке образцов термическим прогревом в сочетании или без ионного травления в сверхвысоком вакууме, с последующей имплантацией низкоэнергетическими ионами Ва+ (или других щелочных элементов) и затем их удалении кратковременным (1 мин) высокотемпературным (Т = 1550 K) термическим прогревом. Эффект дополнительной очистки достигается за счет того, что внедренные ионы Ва+ и щелочные элементы, являясь активными, образуют соединения с атомами примесей (О, С, S, N и др.) и удаляются при высокотемпературном прогреве.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.