Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СТРУКТУРНЫЙ ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД В TlGaSe2 ПРИ ВЫСОКОМ ДАВЛЕНИИ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Джабаров С.Г.1
  • Мамедов Т.Г.2
  • Мамедов А.И.3
  • Кичанов С.Е.4
  • Алиева В.Б.5
  • Лукин Е.В.6
стр. 40-
Платно
1 Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия, 2 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, 3 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, АZ-1143 Баку, Азербайджан, 4 Объединенный институт ядерных исследований, лаборатория нейтронной физики имени И.М.Франка, Дубна, 5 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, АZ-1143 Баку, Азербайджан, 6 Объединенный институт ядерных исследований, лаборатория нейтронной физики имени И.М.Франка, Дубна
Аннотация:
Кристаллическая структура слоистого полупроводника TlGaSe2 исследована при комнатной температуре и высоких давлениях до 4.6 ГПа методом нейтронной дифракции. При нормальных условиях структура TlGaSe2 описывается моноклинной симметрией с пр. гр. С2/c. В интервале давлений P=0.2?0.9 ГПа TlGaSe2 претерпевает структурный фазовый переход без изменения симметрии. Получены барические зависимости параметров и объема элементарной ячейки, рассчитаны модули всестороннего сжатия для обеих фаз TlGaSe2.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.