Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭЛЕКТРОТЕПЛОВАЯ МОДЕЛЬ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ, "Радиотехника и электроника"»

Авторы:
  • Мещеряков С.А.1
  • Бердышев А.В.2
стр. 1127-
Платно
1 Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю Российская Федерация, 394026, Воронеж, ул. 9 января, 280а, 2 Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю Российская Федерация, 394026, Воронеж, ул. 9 января, 280а
Аннотация:
Представлена численная электротепловая модель воздействия импульса электромагнитного излучения (ЭМИ) на дискретные полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. На примере кремниевого высокочастотного диода с барьером Шоттки получены результаты численного моделирования протекающих электро- и теплофизических процессов при различных энергомощностных характеристиках импульса ЭМИ.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.