Статья «Зависимость кинетики релаксации фотолюминесценциина межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs от их близости к границе с Au, "Оптика и спектроскопия"»

Исследована зависимость кинетики релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах между уровнями размерного квантования электронов и дырок в квантовых ямах InGaAs/GaAs от их расстояния до границы с Au. Продемонстрировано, что время релаксации фотолюминесценции укорачивается в несколько раз при уменьшении расстояния от квантовой ямы до этой границы до нескольких десятков нанометров. Установлено, что время релаксации фотолюминесценции на меньшей длине волны, отвечающей рекомбинационному переходу между возбужденными уровнями электронов и дырок в квантовой яме, существенно короче, чем время релаксации фотолюминесценции на большей длине волны, соответствующей рекомбинационному переходу между основными уровнями. Предложена теоретическая модель, объясняющая это явление.