Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Эпитаксия CdTe на подложках сапфира с буферными слоями титана, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Муслимов А.Э.1
  • Буташин А.В.2
  • Каневский В.М.3
  • Бабаев В.А.4
  • Алиханов Н. М.-Р.5
стр. 459-463
Платно
1 Институт кристаллографии РАН, Москва, 2 Институт кристаллографии РАН, Москва, 3 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, 4 Дагестанский государственный университет, Махачкала, 5 Дагестанский государственный университет
Аннотация:
Приведены результаты исследований процесса формирования развитого электрического рельефа на поверхности подложек сапфира. Предложена методика внедрения примесных атомов Ti+ в кристаллическую решетку сапфира посредством нанесения слоев титана толщиной порядка 5 нм и отжига на воздухе (окислительная среда) до температуры 1400°C. Показано, что при такой предварительной обработке поверхности сапфировой подложки наблюдается эпитаксиальный рост пленок (111) СdTe параллельно (0001) сапфира при температуре 350°C.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.