Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Оптимизация наногетероструктур и улучшение характеристик приборов на их основе, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Рабинович О.И.1
  • Диденко С.И.2
стр. 480-486
Платно
1 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский технологический университет “Московский институт стали и сплавов”, 2 НИТУ “МИСиС”, Москва, 119049
Аннотация:
Оптимизировано строение наногетероструктур AlInGaN и AlGaInP на основе компьютерного моделирования в целях использования их в оптоэлектронике. Изучена возможность улучшения рабочих характеристик светоизлучающих диодов на 20%. Результаты представлены в виде вольт-ампер-ных характеристик, зависимости внутреннего квантового выхода от количества квантово-размерных ям, спектральных характеристик. Определено влияние неоднородного распределения атомов In в квантово-размерной области.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.