Статья «ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ INAS, INSB, GAAS, GASB С ТРАВИЛЬНЫМИ РАСТВОРАМИ (NH4)2CR2O7-HBR-C4H6O6, "Неорганические материалы"»

Представлены результаты по исследованию кинетики и механизма физико-химического взаимодействия поверхности полупроводников InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 в воспроизводимых гидродинамических условиях при ламинарном натекании травителя на подложку. Установлены области полирующих и неполирующих растворов и рассчитаны значения кажущейся энергии активации. Методом микроструктурного анализа исследована морфология поверхности кристаллов после химического травления. Показано, что использование C4H6O6 в составе травителей способствует уменьшению общей скорости реакции и увеличению области полирующих растворов.