Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ИЗОКОНВЕРСИОННЫЙ МЕТОД ОЦЕНКИ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК МАТЕРИАЛОВ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ GeSbTe, "Неорганические материалы"»

Авторы:
  • Шерченков А.А.1
  • Козюхин С.А.2
  • Бабич А.В.3
  • Лазаренко П.И.4
  • Варгунин А. И.5
стр. 21-25
Платно
1 Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“, 2 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, 3 Запорожский национальный технический университет, 69063 Запорожье, Украина, 4 Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“, 5 Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Ключевые слова:
  • кинетика процесса кристаллизации
Аннотация:
Предложен метод оценки кинетических параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти, заключающийся в совместном использовании безмодельных и модельных изоконверсионных методов при анализе результатов дифференциальной сканирующей калориметрии. С использованием метода найдены модель реакции, энергия активации кристаллизации и предэкспоненциальный множитель в зависимости от степени преобразования для тонких пленок на основе GeSbTe.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.