Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CHзNHзPbBrз, "Физика твердого тела"»

Авторы:
  • Алешин А.Н.1
  • Щербаков И.П.2
  • Трапезникова И.Н.3
  • Петров В.Н.4
стр. 2457-2461
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН 194021 Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
Аннотация:
Получены полевые транзисторные (ПТ) структуры на основе растворимых металлорганических перовскитов - CHNHPbBr и исследованы их электрические свойства. Показано, что ПТ на основе пленок CHNHPbBr демонстрируют вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ПТ с режимом насыщения. Обнаружено, что передаточные характеристики ПТ на основе CHNHPbBrобладают незначительным гистерезисом и слабо зависят от напряжения на стоке-истоке. Значения подвижности носителей заряда (дырок), рассчитанные из ВАХ ПТ на основе CHNHPbBr при 300K в режимах насыщения и слабых полей, составили ~ 5cm/Vs и ~ 2cm/Vs соответственно, а подвижность электронов ~ 3 cm/Vs, что превышает значение подвижности ~ 1 cm/Vs, полученное ранее для ПТ на основе CH3NH3Pbl3.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.