Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Сложная структура оптических переходов с остовных d-уровней кристаллов InAs и InSb, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Соболев В.В.1
  • Перевощиков Д.А.2
стр. 1078-1084
Платно
1 Институт общей генетики им. Н.И. Вавилова Российской академии наук, Москва, 119991, 2 Удмуртский государственный университет
Аннотация:
Усовершенствованным беспараметрическим методом объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости кристаллов InAs и InSb в области 15-40эВ разложены на тринадцать и двенадцать отдельных компонент соответственно с определением для каждой из них трех основных параметров: энергий максимума и полуширины, а также силы осциллятора. Силы осцилляторов находятся в интервалах 0. 006-0.10 (InAs) и 0.014-0.076 (InSb). Спектры диэлектрических проницаемостей предварительно рассчитаны на основе экспериментальных спектров отражения и поглощения методом интегральных соотношений Крамерса-Кронига. Предложена природа полученных полос переходов по модели межзонных и экситонных переходов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.