Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Формирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Бер Б.Я.1
  • Казанцев Д.Ю.2
  • Оганесян Г.А.3
  • Тимошина Н.Х.4
  • Власов А.С.5
  • Карлина Л.Б.6
  • Кулагина М.М.7
  • Смирнов А.Б.8
стр. 699-703
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 8 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Аннотация:
Приведены сравнительные характеристики фотовольтаических преобразователей лазерного излучения на основе арсенида галлия с p-эмиттером, сформированным диффузией из газовой фазы в присутствии сурфактантов (изовалентных примесей) и без них. Показано, что использование индия и фосфора в процессе формирования p-n-перехода существенно влияет на характеристики полученных приборов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%