Труды Физико-технологического института. Т. 30

Процессы глубокого плазменного травления кремния (DSE) являются востребованными для изготовления различных устройств, включая МЭМС и НЭМС микроструктур; кремниевых элементов рентгеновской оптики, канавки конденсаторов в DRAM, и конденсаторы в ВЧ интегральных микросхемах; изоляционные канавки для высоковольтных устройств, TSV в интерпозерах для 3D-интеграции интегральных схем и др. Каждый случай требует собственной спецификации для травленых структур, но общим условием для технологий DSE является относительно высокая скорость анизотропного травления (3–20 мкм/мин) Si и селективность процесса для маски >50:1. Структуры для микро- и наноэлектронного применения требуют чистых боковых стенок для минимизации токов утечки и вертикальных или конических профилей травления с минимальными неровностями или шероховатостями. С другой стороны, остаточные полимерные загрязнения не являются проблемой для устройств МЭМС/НЭМС, где основное требование – возможность травления структур до сотен микрон с высоким аспектным отношением и вертикальным профилем. В настоящем томе «Трудов ФТИАН» рассматриваются существующие и недавно разработанные технологии DSE, предлагающие оптимальный выбор для конкретных приложений. Рассматриваются четыре типа процессов глубокого травления кремния: циклический оригинальный процесс Bosch и модифицированный, непрерывный процесс криотравления, циклический процесс STiGer и новый процесс Ox-Etch, разработанный и запатентованный в ФТИАН. Для широкого круга специалистов в области квантовых информационных технологий, микро- и наноэлектроники, а также студентов и аспирантов, обучающихся по соответствующим специальностям.