Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Труды Физико-технологического института. Т. 30: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование

Proccedings of the Physi o-Technological Institute. Vol. 30: Quantum computers, micro- and nanoelectronics: physics, technology, diagnostics and modeling

Авторы

Коллектив авторов



Авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к тексту работы.
  • Год: 2022
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика: Электротехника
  • Объем, страниц: 111
  • SDI: 007.001.978-5-02-040925-5
  • ISBN: 978-5-02-040925-5
  • DOI: 10.7868/9785020409255
Аннотация:
Процессы глубокого плазменного травления кремния (DSE) являются востребованными для изготовления различных устройств, включая МЭМС и НЭМС микроструктур; кремниевых элементов рентгеновской оптики, канавки конденсаторов в DRAM, и конденсаторы в ВЧ интегральных микросхемах; изоляционные канавки для высоковольтных устройств, TSV в интерпозерах для 3D-интеграции интегральных схем и др. Каждый случай требует собственной спецификации для травленых структур, но общим условием для технологий DSE является относительно высокая скорость анизотропного травления (3–20 мкм/мин) Si и селективность процесса для маски >50:1. Структуры для микро- и наноэлектронного применения требуют чистых боковых стенок для минимизации токов утечки и вертикальных или конических профилей травления с минимальными неровностями или шероховатостями. С другой стороны, остаточные полимерные загрязнения не являются проблемой для устройств МЭМС/НЭМС, где основное требование – возможность травления структур до сотен микрон с высоким аспектным отношением и вертикальным профилем. В настоящем томе «Трудов ФТИАН» рассматриваются существующие и недавно разработанные технологии DSE, предлагающие оптимальный выбор для конкретных приложений. Рассматриваются четыре типа процессов глубокого травления кремния: циклический оригинальный процесс Bosch и модифицированный, непрерывный процесс криотравления, циклический процесс STiGer и новый процесс Ox-Etch, разработанный и запатентованный в ФТИАН. Для широкого круга специалистов в области квантовых информационных технологий, микро- и наноэлектроники, а также студентов и аспирантов, обучающихся по соответствующим специальностям.

Авторизуйтесь, чтобы получить доступ к полному тексту произведения.