Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние рассеяния распыленных атомов на скорость роста пленок, полученных методом магнетронного распыления, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Митин Д.М.1
  • Сердобинцев А.А.2
стр. 78-85
Платно
1 Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия, 2 Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия
Аннотация:
Приведены результаты теоретических расчетов доли нерассеянных распиленных атомов при магнетронном распылении. Экспериментально полученная зависимость скорости роста пленок кремния от давления обнаруживает корреляцию с теоретически рассчитанной зависимостью доли нерассеянных распыленных атомов. Увеличение давления в рассматриваемом диапазоне 1.5-8.5mTorr приводит к снижению скорости роста пленок кремния на 25%, при этом уменьшение доли нерассеянных распыленных атомов на расстоянии катод-подложка достигает 90%.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.