Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Талалаев В.Г.1
  • Штром В.И.2
  • Самсоненко Ю.Б.3
  • Хребтов А.И.4
  • Буравлев А. Д.5
  • Цырлин Г.Э.6
стр. 71-77
Платно
1 Martin Luther University Halle-Wittenberg, 2 Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский академический университет РАН; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Институт аналитического приборостроения РАН, 3 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия, 4 Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, 199034 Санкт-Петербург, Россия, 5 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 6 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Проведены исследования направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа ННК GaAs в оболочке AlGaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с разной степенью легирования бериллием. Показано, что нелегированный образец обладает выраженными волноводными свойствами вдоль направления роста. При увеличении степени легирования возрастает интенсивность излучения, направленного перпендикулярно боковым стенкам ННК.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.