Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Бохан П.А.1
  • Журавлёв К.С.2
  • Закревский Дм. Э.3
  • Малин Т.В.4
  • Осинных И.В.5
  • Фатеев Н.В.6
стр. 5-13
Платно
1 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия, 2 Новосибирский государственный университет, 3 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск., 5 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, 6 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
  • SDI: 007.001.0320-0116.2017.043.001.1
Аннотация:
При оптической накачке импульсным лазерным излучением с 2 = 266 nm твердых растворов AlGaN/ AlN с x = 0.5 и 0.74, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследованы спектральные характеристики спонтанной и стимулированной люминесценции. Получены широкополосные спектры излучения с шириной ~260THz для AlGaN и ~360THz для AlGaN. Измеренные коэффициенты усиления на 2 ?» 528 nm для Al0.5Ga0.5N равны g ? 70 cm, а для AlGaN на ? ? 468 nm g ? 20 cm

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.