Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Соболев Н.А.1
  • Калядин А.Е.2
  • Сахаров В. И.3
  • Серенков И.Т.4
  • Шек Е.И.5
  • Карабешкин К.В.6
  • Карасев П.А.7
  • Титов А.И.8
стр. 14-20
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Россия, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 3 МГУ им. М.В. Ломоносова Научно-исследовательский институт механики, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 6 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 7 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 8 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
  • SDI: 007.001.0320-0116.2017.043.001.2
Аннотация:
Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85keV и дозой 8.3 • 10 sm в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг при температуре 1100° C в хлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3h. С увеличением температуры измерения от 80 до 200 K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.