Статья «Температурная зависимость фононных и магнонных мод в гетероструктурах мультиферроик - сегнетоэлектрик, "Наука Юга России"»

Пленки феррита висмута BiFeO выращены на монокристаллической подложке (001) MgO по блочному механизму роста методом высокочастотного катодного распыления с использованием в качестве буферного слоя сегнетоэлектрика BaSr _ TiO при варьировании состава x. Изучение гетероструктур методом рентгеновской дифракции показало, что пленки характеризуются псевдотетрагональной симметрией при комнатной температуре. Определено, что степень тетрагонального искажения слоев BaSr _ TiO возрастает с увеличением концентрации Ba, в то время как в слоях BiFeO она остается практически неизменной. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что пленки BiFeOвыросли по блочному механизму роста, причем блоки строго ориентированы относительно друг друга и кристаллографических осей подложки MgO. Высокотемпературные исследования спектров комбинационного рассеяния света в широком диапазоне температур 295-900 K и частот от 50 до 1600 смпоказали, что интенсивность полосы 1250 см, соответствующей плотности состояний двухмагнонных возбуждений, линейно понижается при повышении температуры. Анализ температурного поведения полосы 1250 см позволяет предполагать, что в изученных пленках BiFeO антиферромагнитный фазовый переход происходит в диапазоне температур 600-700 K. Использование сегнетоэлектрических буферных слоев BaSr _ TiO с разной степенью тетрагонального искажения позволяет управлять деформацией пленок BiFeO, возникающей в результате несоответствия параметров решеток в смежных слоях, и тем самым искусственно варьировать свойства данных структур.