Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ТОПОГРАФИЧЕСКОЙ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРИРОДЫ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ НА ПРИМЕРЕ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Толстихина А.Л.1
  • Гайнутдинов Р.В.2
  • Белугина Н.В.3
  • Сорокина К.Л.4
стр. 922-
Платно
1 Институт кристаллографии РАН, Москва, 2 Институт кристаллографии РАН, Москва, 3 Институт кристаллографии РАН, Москва, 4 Институт кристаллографии РАН, Москва
Аннотация:
Кристаллы триглицинсульфата с идеальной плоскостью спайности (010) использованы как модельные объекты для выявления проблем интерпретации АСМ-изображений зарядово-неоднородной поверхности. Обнаружены особенности микрорельефа двух типов ? линзовидные образования с разного рода контрастом и округлые выступы/впадины разного размера, но фиксированной высоты. Изучение их эволюции при изменении температуры, приложении электрического поля, механических воздействиях позволило отделить элементы рельефа от доменной структуры кристалла. Предлагаемая интерпретация подтверждена результатами мультимодовой АСМ. Изучены особенности изображений динамических доменов и состаренных доменов, не способных к переполяризации. Измеряемая в АСМ ширина доменной стенки зависит от применяемой методики и специфики взаимодействия зонда с поверхностью и варьируется от 9 до 2000 нм. Наиболее достоверные данные по ширине доменной стенки в кристаллах триглицинсульфата дает метод микроскопии пьезоотклика, и она составляет не более 30 нм.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.