Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕТАМОРФНЫХ НЕМТ-НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР In0.38Al0.62As/In0.37Ga0.63As/In0.38Al0.62As, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Галиев Г.Б.1
  • Климов Е.А.2
  • Клочков А.Н.3
  • Мальцев П.П.4
  • Пушкарев С.С.5
  • Жигалина О.М.6
  • Имамов Р.М.7
  • Кускова А.Н.8
  • Хмеленин Д.Н.9
стр. 916-
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 3 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 5 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 6 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, 7 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 8 Институт кристаллографии РАН, Москва, 9 Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
Аннотация:
Исследовано влияние конструкции метаморфного буфера и технологических режимов эпитаксиального роста на электрофизические и структурные характеристики метаморфных НЕМТ (МНЕМТ) наногетероструктур In0.38Al0.62As/In0.37Ga0.63As/In0.38Al0.62As. Образцы выращены на подложках GaAs с ориентацией (1 0 0) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Активные области наногетероструктур были одинаковыми, а метаморфный буфер InxAl1 - xAs формировался с линейным или ступенчатым (на х = 0.05) возрастанием содержания индия по толщине. Выявлено, что МНЕМТ-наногетероструктуры со ступенчатым метаморфным буфером менее дефектны и демонстрируют более высокие значения подвижности двумерного электронного газа при Т = 77 К. Методами просвечивающей электронной микроскопии проведено подробное исследование кристаллической структуры активной области и метаморфного буфера и показано, что релаксация метаморфного буфера исследованных гетероструктур сопровождается образованием следующих типов структурных дефектов: дислокаций, микродвойников, дефектов упаковки, а также областей включений вюрцитной фазы размером несколько нанометров.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.