Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100), "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Лебедев М.В.1
  • Львова Т.В.2
  • Павлов С.И.3
  • Седова И.В.4
стр. 1138-1145
Платно
1 Институт физики твердого тела РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Институт физики им. Фока С.-Петербургского государственного университета, 4 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.008.30
Аннотация:
Методами рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии исследовано влияние растворителя на химический состав сульфидного слоя, образующегося на поверхности GaSb(100). Обработка поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония приводит к формированию толстого (несколько десятков нанометров) покрытия, представляющего собой смесь различных бинарных и тройных сульфидов галлия и сурьмы. Обнаружено различие химического состава пассивирующих сульфидных слоев, сформированных в водном и спиртовом растворах сульфида аммония. Отжиг сульфидного слоя при 360 C приводит к частичной десорбции составляющие.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.