Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Сокура Л.А.1
  • Пархоменко Я.А.2
  • Моисеев К.Д.3
  • Неведомский В.Н.4
  • Берт Н.А.5
стр. 1146-1150
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской Академии наук, Санкт-Петербург, 5 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
Аннотация:
Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя InGaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур T = 450-467°C. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания ~ 30-50 нм, высота 3нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In.GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1 • 10см) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.