Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Вейс А.Н.1
  • Лукьянова Л.Н.2
  • Kutasov V.A.3
стр. 873-876
Платно
1 Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Петра Великого, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Ioffe Institute
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.007.3
Аннотация:
Проведены исследования спектральных зависимостей коэффициента оптического поглощения w-BiTe в диапазоне 40-300 мэВ в зависимости от концентрации электронов и толщины образцов при комнатной температуре с целью определения параметров дополнительной подзоны в зоне проводимости теллурида висмута и ее возможного влияния на транспорт носителей заряда. Показано, что теллурид висмута является прямозонным полупроводником с дополнительной подзоной в зоне проводимости. Эти данные согласуются с исследованиями квантовых осцилляций в w-BiTe в сильных магнитных полях при температурах ниже 20 K.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.