Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001), "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Алешкин В.Я.1
  • Байдусь Н.В.2
  • Дубинов А.А.3
  • Красильник З.Ф.4
  • Некоркин С.М.5
  • Новиков А. В.6
  • Рыков А.В.7
  • Юрасов Д.В.8
  • Яблонский А.Н.9
  • Шаронова Л.В.
стр. 695-698
Платно
1 Институт физики микроструктур РАН,, 2 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 3 Институт физики микроструктур РАН, 4 Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 5 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского,, 6 Институт физики микроструктур РАН; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 7 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, проспект Гагарина, 23, корп. 3, 603950 Нижний Новгород, Россия, 8 Институт физики микроструктур Российской академии наук; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 9 Институт физики микроструктур Российской академии наук
Аннотация:
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получены лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4° коси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge, излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре) . Пороговые плотности мощности наблюдения стимулированного излучения для структур, выращенных на неотклоненной и отклоненной подложках, составили 45 и 37кВт/см соответственно.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.