Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Формирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Карлина Л.Б.1
  • Власов А.С.2
  • Бер Б.Я.3
  • Казанцев Д.Ю.4
  • Тимошина Н.Х.5
  • Кулагина М.М.6
  • Смирнов А.Б.7
  • Оганесян Г.А.8
стр. 699-703
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 8 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова РАН
Аннотация:
Приведены сравнительные характеристики фотовольтаических преобразователей лазерного излучения на основе арсенида галлия с p-эмиттером, сформированным диффузией из газовой фазы в присутствии сурфактантов (изовалентных примесей) и без них. Показано, что использование индия и фосфора в процессе формирования p-n-перехода существенно влияет на характеристики полученных приборов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.